IT之家最新公开信息显示，IT之家 10 月 10 日消息，长鑫存储 4F² DRAM 架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累， 并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品 。 据曹堪宇博士介绍，长鑫自成立以来就启动了 4F² 的研究和专利布局，公开专利族超 300 件，数量领先海内外厂商。长鑫在 2021 年发布了大陆首篇 4F² 架构相关的论文，并在 2023 年、2025 年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。 IT之家查询获悉，当前行业主流 DRAM 单元为 6F² 架构。在 DRAM 芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。

这项动态涉及AI 与科技的设备、芯片或算力能力。判断实际价值时，需要同时核对正式规格、兼容平台、功耗与上市范围；演示结果、工程样品和量产产品不能混为一谈。

准备购买或部署的用户可以先确认型号、内存或显存、驱动版本和所在地区的供货信息。开发者还应等待官方文档与独立测试，再决定是否调整现有硬件方案。